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型号 描述 品牌 年份 数量 发布日期
FSA12N60A MOS N 600V 12A TO-220F TU 華潤華晶   2551 2026/2/8
MJE13003L TR 700V 1.5A TO-126 UTC   63000 2026/2/8
HT772P TR -40V -3A TO-126 HSMC   33281 2026/2/8
2SC2655 TR 50V 2A TO-92 TOSHIBA   6181 2026/2/8
MJE13003L TR 700V 1.5A TO-126 UTC   24549 2026/2/8
G/O 5mm C.A. LED 3P DIP RECT Ledtech   27271 2026/2/8
1W 120V DIO ZEN Sub-SMA 2P SMD NEC   1738 2026/2/8
20100CT DIO SBD 20A 100V TO-220 3P DIP LITEON   28087 2026/2/8
2045CT DIO SBD 20A 45V TO-220F 3P DIP LITEON   5000 2026/2/8
TCU10A40 DIO FRD 10A 400V D2PAK SMD TP TDK   3285 2026/2/8
MT41J128M16HA-125(D9MGG) MEMORY DDR3 SDRAM 128MX16 96BALL MICRON   3306 2026/2/8
N2CB1GH80BN-CG MEM IC DDR3 128X8 1333MHZ BGA 78PIN ELIXIR   633 2026/2/8
EDW1032BBBG-50-F 1GB GDDR5 SGRAM 32MX32 170BALL FBGA/ ELPIDA   2284 2026/2/8
K4G10325FG-HC04 MEM IC 32MX32-5.0GBPS G-DIE GDDR5 170FCBGA SAMSUNG   5068 2026/2/8
H5GQ2H24MFR-R0C 2G GDDR5 6.0GBPS 1.5V FCBGA 170 BALL HYNIX   427 2026/2/8
H5GQ1H24BFR-T2C 32MX32-5.0 GBPS GDDR5 B-DIE SGRAM 170BALL HYNIX   12045 2026/2/8
H5PS5162FFR-S6C 32MX16-2.5 DDR2 FBGA 84PIN/PCP HYNIX   966 2026/2/8
K4W1G1646G-BC11 64MX16-1.1 GDDR3 SDRAM 96FBGA 96PIN FOR HA SAMSUNG   481 2026/2/8
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